eNVM，发展现状

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来 源: 内容 编译自 semiwiki 。

我们现在处于人工智能时代，数据是创新的命脉，而嵌入式非易失性存储器 是一项基石技术，它无需电源即可保存信息，并支持从微控制器和物联网片上系统到汽车控制器和安全元件等各种应用。

截至2025年11月，嵌入式非易失性存储器发展迅猛。边缘数据激增，人工智能功能正逐步应用于微控制器(MCU)和片上系统(SoC)，而功耗预算也比以往任何时候都更加严格。

嵌入式新兴非易失性存储器，包括磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM/ReRAM)和相变存储器(PCM)，正在微控制器(MCU)、连接设备和边缘人工智能(Edge AI)设备等领域进入更广泛的应用阶段，并在汽车和工业市场展现出强劲的增长势头。市场研究公司Yole Group指出，到2030年，嵌入式新兴NVM市场规模将超过30亿美元，这反映出主流工艺节点上NVM的普及以及在≤28纳米工艺下eFlash不再适用的领域，NVM的强劲需求正在增强。

嵌入式闪存仍然是基础技术，但先进节点的微缩限制已将MRAM、ReRAM和嵌入式PCM推向了前沿。代工厂和IDM厂商正在将嵌入式解决方案从28/22纳米平面CMOS扩展到10-12纳米级平台，包括FinFET。Yole重点介绍了各代工厂雄心勃勃的路线图:台积电已实现MRAM / ReRAM的大批量生产，并正在为2025年及以后推出12纳米FinFET ReRAM/MRAM做准备。三星、格芯、联电和中芯国际正在加速将嵌入式MRAM/ReRAM/PCM应用于通用MCU和高性能汽车设计。意法半导体作为一家完全致力于嵌入式PCM的IDM厂商脱颖而出，正在为工业和汽车MCU量产xMemory解决方案，并计划在2025年后推出18纳米FD-SOI，进一步拓展其应用范围。

与此同时，BCD 和 HV-CMOS 工艺流程正在将嵌入式非易失性存储器 作为模拟、电源管理和混合信号设计中 EEPROM/OTP 的实用替代方案。在 IP 方面，供应商正在对这些平台的嵌入式 NVM 技术进行认证，从而为设计人员提供更多选择，尤其是在成本、耐用性和数据保持能力比传统方案更为重要的场景下。除了代码和数据存储之外，使用eNVM 的内存内/内存附近计算概念也因其在低功耗边缘 AI 推理领域的应用而备受关注。

汽车行业仍然是嵌入式新兴非易失性存储器的核心市场，随着更多产品投入量产，预计到2025年，安全集成电路(IC)和工业微控制器(MCU)的需求将显著增长。实际上，ReRAM、MRAM和PCM各有其用武之地:ReRAM在多个大批量应用领域正逐渐获得认可；MRAM和PCM则在速度和耐久性至关重要的领域极具吸引力。具体组合会因制程节点、应用和厂商路线图的不同而有所差异。

挑战并不陌生:在先进的逻辑节点上集成eNVM，权衡耐久性和数据保持能力，达到车规级可靠性标准，以及随着嵌入式代码和AI参数的增长，实现高性价比的密度。目前趋势良好，PDK/IP的可用性不断提高，产能也在逐步提升，因此这些问题正在得到解决，而不是被搁置。

到 2030 年，嵌入式非易失性存储器 将成为更多片上人工智能功能和实用内存内/近内存计算模块的基础，并在边缘神经形态加速器中得到更广泛的应用。Yole 的预测表明，嵌入式新兴领域目前是主要的增长引擎，其中 ReRAM 在大批量生产的微控制器 (MCU) 和模拟集成电路 (IC) 中发挥着主导作用，而 MRAM 和嵌入式相变存储器 (PCM) 则在对性能要求极高的细分市场中巩固其地位。随着边缘数据量的增长，eNVM 的角色将从“单纯的存储”扩展到计算架构的一部分，重新定义效率，并使嵌入式存储器在设备智能中发挥前所未有的核心作用。

我们认为，到2025年，嵌入式非易失性存储器不仅仅是内存，它更是实现智能、持久化片上系统的关键。随着其在微控制器(MCU)和边缘系统级芯片(SoC)上的应用日益普及，以及领先代工厂和集成器件制造商(IDM)清晰的路线图，发展趋势已然确定:嵌入式内存的重要性前所未有。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4219期内容，欢迎关注。

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